[分享]内存词典（A～G）
AGP(Accelerated Graphics Port) －图形加速接口
Intel开发的用于提高图形处理速度的接口。它可以让图形的数据流直接在显卡主控芯片和内存之间通信，不必经过显存。
Access Time－存取时间
RAM 完成一次数据存取所用的平均时间（以纳秒为单位）。存取时间等于地址设置时间加延迟时间（初始化数据请求的时间和访问准备时间）。
Address-地址
就是内存每个字节的编号。目的是按照该编号准确地到该编号的内存去存取数据。
ANSI (American National Standards Institute)
美国国家标准协会 - 一个专门开发非官方标准的非赢利机构，其目的在于提高美国工业企业的生产率和国际竞争力。
ASCII （American Standard Code for Information Interchange）
美国信息互换标准代码--将文本编码为二进制数的一种方法。 ASCII 编码体系采用了8位二进制数的256种组合，来映射键盘的所有按键。用于数据处理系统，数据通讯系统及相应设备中进行信息交换。ASCII字符集由控制字符和图形字符组成。
Async SRAM-异步静态内存
一种较为陈旧的SRAM，通常用来做电脑上的Level 2 Cache。
BSB (Backside Bus)
后端总线- CPU 和 L2 cache 之间的数据通道。
Bandwidth－带宽
1、 传输数据信息的能力。信息交换的形式多种多样，可以通过但根电线，也可以通过总线或信道的并行线。一言以蔽之，就是单位时间内数据的移动量，通常用位/ 秒、字节/秒或赫兹（周/秒）表示。
2、 内存的数据带宽：一般指内存一次能处理的数据宽度，也就是一次能处理若干位的数据。30线内存条的数据带宽是8位，72线为32位，168线可达到64位。
Bank （参照memory bank）－内存库
在内存行业里，Bank至少有三种意思，所以一定要注意。
1、 在SDRAM内存模组上，"bank 数"表示该内存的物理存储体的数量。（等同于"行"/Row）
2、 Bank还表示一个SDRAM设备内部的逻辑存储库的数量。（现在通常是4个bank）。
3、 它还表示DIMM 或 SIMM连接插槽或插槽组，例如bank 1 或 bank A。这里的BANK是内存插槽的计算单位（也叫内存库），它是电脑系统与内存之间数据总线的基本工作单位。只有插满一个BANK，电脑才可以正常开机。举个例子，奔腾系列的主板上，1个168线槽为一个BANK，而2个72线槽才能构成一个BANK，所以72线内存必须成对上。原因是，168线内存的数据宽度是64位，而72线内存是32位的。主板上的BANK编号从BANK0开始，必须插满BANK0才能开机，BANK1以后的插槽留给日后升级扩充内存用，称做内存扩充槽。
Bank Schema －存储体规划
一种图解内存配置的方法。存储体规划由若干用来表示电脑主板上的内存插槽的行或列组成。行表示独立的插槽；列代表bank数。
Base Rambus －初级的Rambus内存
第一代的Rambus内存技术，1995年面市。
Baud －波特
1、 表示通讯速率的一种单位，等于每秒传输一个码元。
2、 在异步传输中，表示调制速率的一种单位，相当于每秒一个单位间隔。
BGA (Ball Grid Array)－球状引脚栅格阵列封装技术
这是最近几年开始流行的高密度表面装配封装技术。在封装的底部，引脚都成球状并排列成一个类似于格子的图案，由此命名为BGA。目前的主板控制芯片组多采用此类封装技术，材料多为陶瓷。
Binary －二进制
把数字或信息表示为若干bit的一种编码规则。二进制（也叫base 2）中，所有数字都是由1和0这两个数字的组合来表示。
BIOS (Basic Input-Output System) －基本输入/输出系统
启动时自动加载的例行程序，用来为计算机的各种操作做准备。
Bit－位、比特
计算机所能处理信息的最小单位。因为是二进制，所以一个bit的值不是1就是0。
BLP－底部引出塑封技术
新一代内存芯片封装技术，其芯片面积与封装面积之比大于1：1.1，符合CSP封装规范。此类内存芯片不但高度和面积小，而且电气特性也得到了提高。
Buffer－缓冲区
一个用于存储速度不同步的设备或优先级不同的设备之间传输数据的区域。通过缓冲区，可以使进程之间的相互等待变少，从而使从速度慢的设备读入数据时，速度快的设备的操作进程不发生间断。
Buffered Memory－带缓冲的内存
带有缓存的内存条。缓存能够二次推动信号穿过内存芯片，而且使内存条上能够放置更多的内存芯片。带缓存的内存条和不带缓存的内存条不能混用。电脑的内存控制器结构，决定了该电脑上带缓存的内存还是上不带缓存的内存。
BEDO (Burst EDO RAM) －突发模式EDO随机存储器
BEDO内存能在一个脉冲下处理四个内存地址。形象地说，它一次可以传输一批数据。总线的速度范围从50MHz 到 66MHz (与此相比，EDO内存速度是33MHz，FPM内存的速度是25MHz)。
Burst Mode－突发模式
当处理器向一个独立的地址发出数据请求时，引发的数据区块（连续的一系列地址）高速传输现象
Bus－总线
计算机的数据通道，由各种各样的并行电线组成。CPU、内存、各种输入输出设备都是通过总线连接的。
Bus Cycle－总线周期
主存和CPU之间的一次数据交流。
Byte－字节
信息量的单位，每八位构成一个字节。字节是一个用于衡量电脑处理信息量的常用的基本单位；几乎电脑性能和技术规格的各个方面都用字节数或其若干倍数来衡量（例如KB，MB）。
Cacheability－高速缓存能力
主板芯片组的高速缓存能力，是指主存能够被L2 Cache所高速缓存的最大值。比方说，TX芯片组的主板由于L2 Cache对主存的映射（Mapping）的上限是64MB，所以当CPU读取64MB之后的内存时无法使用高速缓存，系统性能就无法提高了。
Cache Memory－高速缓存存储器
也叫cache RAM，在CPU旁边或附带在CPU上的一小块高速内存(一般少于 1MB)联系着CPU和系统内存。Cache memory 为处理器提供最常用的数据和指令。Level 1 cache也叫主高速缓存 (primary cache)， 是离CPU最近的高速缓存，容量只有8KB~6KB，但速度相当快。Level 2 cache 也叫次高速缓存(secondary cache)，是离CPU第二近的高速缓存，通常焊接在主板上，容量一般为64KB~1MB，速度稍慢。
CAS (Column Address Strobe)－列地址选通脉冲
在内存的寻址中，锁定数据地址需要提供行地址和列地址，行地址的选通由RAS控制，列地址的选通由CAS决定。
CL（CAS Latency ）－列地址选通脉冲时间延迟
CL反应时间是衡定内存的另一个标志。CL是CAS Latency的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小，代表反应所需的时间越短。在早期的PC133内存标准中，这个数值规定为3，而在Intel重新制订的新规范中，强制要求CL的反应时间必须为2，这样在一定程度上，对于内存厂商的芯片及PCB的组装工艺要求相对较高，同时也保证了更优秀的品质。因此在选购品牌内存时，这是一个不可不察的因素。
CDRAM （Cache DRAM）－快取动态随机存储器
同EDRAM（Enhanced DRAM）
Checksum－检验和，校验和
在数据处理和数据通信领域中，用于校验目的的一组数据项的和。这些数据项可以是数字或在计算检验和过程中看作数字的其它字符串。
参考Parity（校验）
Chipset－芯片组
把主存、AGP插槽、PCI插槽、ISA插槽连接到CPU的外部控制逻辑电路，通常是两个或两个以上的微芯片，故称做芯片组。芯片组通常由几个控制器构成，这些控制器能够控制信息流在处理器和其他构件之间的流动方式。
Chip-Scale Package (CSP)－芯片级封装
薄芯片封装，其电路连接通常是采用BGA（球状引脚格状阵列）。这种封装形式一般用于RDRAM（总线式动态内存）和 flash memory（闪存）。
Compact Flash－紧凑式闪存
一种结构轻小的存储器，用于可拆卸的存储卡。CompactFlash 卡持久耐用，工作电压低，掉电后数据不丢失。应用范围包括：数码相机、移动电话、打印机、掌上电脑、寻呼机，以及录音设备。
Concurrent Rambus－并发式总线式内存
Rambus内存的第二代技术产品。Concurrent Rambus内存一般用于图形工作站、数码电视、视频游戏机。
Continuity RIMM (C-RIMM)－连续性总线式内存模组
一种不带内存芯片的直接总线式内存模组（Direct Rambus）。C-RIMM 为信号提供了一个连续的通道。在直接总线式内存系统中，开放的连接器必须安装C-RIMM。
CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semicomductor）－互补金属氧化物半导体
用于晶体管的一种半导体技术，结合了N型与P型晶体管的优势，现在主要用于电脑芯片，如存储器、 处理器等。
CPU (Central Processing Unit)－中央处理单元
计算机芯片的一种，其主要职能是解释命令和运行程序。CPU也叫处理器（processor）或微处理器（microprocessor）。
Credit Card Memory －信用卡内存
主要用于膝上型电脑和笔记本电脑的一种内存。其外型尺寸犹如一个信用卡，因此而得名。
CSRAM
同Pentium II Xeron匹配的一种高速缓存，容量为512KB。
DDR(Double Data Rate SDRAM)－ 双数据输出同步动态存储器。
DDR SDRAM 从理论上来讲，可以把RAM的速度提升一倍，它在时钟的上升沿和下降沿都可以读出数据。
Desktop－台式机，桌上型电脑
Die－模子，芯片颗粒
DIME （Direct Memory Execution）
直接内存执行功能
DIMM（Dual-In line Memory Module）－双边接触内存模组
形象的说：内存条正反两面金手指是不导通的，如常见的有100线、168线、200线内存（long Dimm）和72线、144线（SO-Dimm）。DIMM一般有64位带宽，并且正反面相同位置的引脚不同；而SIMM一般只有32位带宽，需要两条两条同时使用，一般通过72线金手指与主板相连。
Direct Rambus－直接总线式随机存储器
Rambus 技术的第三代产品，它为高性能的PC机提供了一种全新的DRAM 结构。现在的SDRAM在64-bit的宽带总线上速度只有100MHz；与此相对照，Direct Rambus在16-bit的窄通道上，其数据传输速度可高达800MHz 。
DIP (Dual In-line Package)－双列直插式封装，双入线封装
DRAM 的一种元件封装形式。DIP封装的芯片可以插在插座里，也可以永久地焊接在印刷电路板的小孔上。在内存颗粒直接插在主板上的时代，DIP 封装形式曾经十分流行。 DIP还有一种派生方式SDIP（Shrink DIP,紧缩双入线封装），它比DIP的针脚密度要高6六倍。
Direct RDRAM－直接总线式动态随机存储器
该设备的控制线和数据线分开，带有16位接口、带宽高达800 MHz，效率大于90% 。一条Direct RDRAM 使用两个8-bit 通道、工作电压2.5V ，数据传输率可达到1.6 GBps 。 它采用一个分离的8位总线（用于地址和控制信号），并拓宽了8到16位或9到18位数据通道，时钟达到400 MHz ，从而在每个针（pin）800Mbps的情况下（共计1.6 GBS）使可用数据带宽最大化。
DMA （Direct Memory Access）－直接内存存取
通常情况下，硬盘光驱等设备和内存之间的数据传输是由CPU来控制的。但在DMA模式下，CPU只须向DMA控制器下达指令，让DMA控制器来处理数的传送，数据传送完毕再把信息反馈给CPU。这样，CPU的负担减轻了，数据传输的效率也有所提高。
DRAM (Dynamic Random-Access Memory)－动态随机存储器
最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM 必须隔一段时间刷新（refresh）一次。如果存储单元没有被刷新，数据就会丢失。
Dual Independent Bus (DIB)－双重独立总线
英特尔开发的一种总线结构，因为它通过两个分开的总线（前端总线和后端总线）访问处理器，所以DIB能提供更大的带宽。奔腾II电脑就有DIB总线。
ECC（Error Correcting Code）－错误更正码，纠错码
ECC是用来检验存储在DRAM中的整体数据的一种电子方式。ECC在设计上比parity更精巧，它不仅能检测出多位数据错误，同时还可以指定出错的数位并改正。通常ECC每个字节使用3个Bit来纠错，而parity只使用一个Bit。
ECC另有一种解释是Error Checking & Correction ,既错误检查与更正。
带ECC的内存比普通SDRAM内存多1、2个芯片，价格很昂贵，一般用在工作站或服务器上。
EDO DRAM(Extended Data Out DRAM)－扩展数据输出动态存储器
有的也叫Hyper Page Mode DRAM。 EDO的读取方式取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔，在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面，从而提高了工作效率（约比传统的DRAM快15~30%）。
EDO内存一般为72线（SIMM），也有168线（DIMM），后者多用于苹果公司的Macintosh电脑上。
EDRAM (Enhanced DRAM)－增强型动态随机存储器
动态随机存储器的一种，内部集成2 或 8 Kbit静态随机存储器（SRAM，Static Random Access Memmory），用于缓存读取过的信息。如果下次读取的数据在SRAM内，则直接输出以加快读取速度，否则再到DRAM内寻找。
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)
电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用（Plug & Play）接口卡中，用来存放硬件设置数据；防止软件非法拷贝的"硬件锁"上面也能找到它。
EISA (Extended ISA)－扩展工业标准结构
将附加卡（例如视频卡、内置式MODEM等）连接到PC机主板的一种总线标准。EISA有一个32位的数据通道，使用能够接受ISA卡的连接器。不过，EISA卡只能与 EISA系统匹配。EISA总线的操作频率比ISA高得多，并且能够提供比ISA快得多的数据吞吐率。
EMI （Electron-Magnetic Interference）－电磁干扰
任何产生电磁场的电子设备都会或多或少地产生噪声场，干扰其附近的电子设备，这种现象就叫做电磁干扰。
EMS（Expanded Memory Specification）－扩充内存规范
这是由AST、Intel、微软公司共同开发的一种能让DOS突破640KB寻址范围的规范，可以让DOS对640KB甚至1M之间的地址进行页面式的访问。需要有专用的驱动管理程序支持，如EMM386.EXE
EOS (ECC on SIMM)
IBM公司的一种数据完整性检测技术，它的一个明显特征就是在SIMM（单边接触内存模组）上带有检测数据完整性的ECC（自动检错码）芯片。
EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory)－可擦可编程只读存储器
一种可以重复利用的可编程芯片。其内容始终不丢失，除非您用紫外线擦除它。一般给EPROM 编程或擦除内容时，需要用专用的设备。
ESDRAM (Enhanced Synchronous DRAM)－增强型同步动态内存
Enhanced Memory Systems, Inc 公司开发的一种SDRAM，带有一个小型的静态存储器。在嵌入式系统中， ESDRAM代替了昂贵的SRAM （静态随机存储器），其速度与SRAM相当，但成本和耗电量却比后者低得多。
Even Parity－偶校验
一种来检测数据完整性的方法。与奇校验相反，8个数据位与校验位加起来有偶数个1。具体参考Odd Parity奇校验。
FCRAM (Fast-Cycle RAM)－快速周期随机存储器
东芝（Toshiba）和富士通（Fujitsu）公司正在开发的一种内存技术。开发FCRAM 的目的不是用来做PC机的主存，而是用在某些特殊的设备：例如一些高端服务器、打印机，还有一些远程通讯的交换系统。
Fast-Page Mode－快速翻页模式
一种比较老的DRAM。与比它还早的页面模式内存技术相比，它的优势是在访问同一行的数据时速度比较快。
Firmware－固件，韧件
简单地说，就是含有程序的存储器，负责管理所附装置的底层数据和资源。
Flash Memory－闪烁存储器，闪存
闪烁存储器在断电情况下仍能保持所存储的数据信息，但是数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位。区块大小一般由256K到20MB。FLASH这个词最初由东芝因为该芯片的瞬间清除能力而提出。源于EPROM，闪存芯片价格不高，存储容量大。闪存正在成为EPROM的替代品，因为它们很容易被升级。闪存被用于PCMCIA卡，PCMCIA闪存盘，其它形式硬盘，嵌入式控制器和SMART MEDIA。如果闪存或其它相关的衍生技术能够在一定的时间内清除一个字节，那将导致永久性的（不易失）RAM的到来。
Form Factor－形态特征
用来描述硬件的一些技术规格，例如尺寸、配置等。比方说，内存的形态特征有：SIMM（单边）, DIMM（双边）, RIMM（总线式）, 30线, 72线, and 168线。
FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)－快速翻页动态存储器
一种改良型的DRAM，一般为30线或72线内存。
若CPU所需的地址在同一行内，在送出行地址后，就可以连续送出列地址，而不必再输出行地址。一般来讲，程序或数据在内存中排列的地址是连续的，那么输出行地址后连续输出列地址，就可以得到所需数据。这和以前DRAM存取方式相比要先进一些（必须送出行地址、列地址才可读写数据）。
FSB (Frontside Bus)-前端总线
在CPU和内存之间的数据通道。
Gigabyte /GB－吉(咖)字节
约为10亿字节，准确的数值为1,0243 (1,073,741,824) 字节。
Gigabit /Gb－吉(咖)比特，吉位
约为10亿位，准确的数值为1,0243 (1,073,741,824) bit。
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2004/9/18 16:04:00
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